| Title: | Формирование пленок SIOC реактивным ионно-лучевым распылением |
| Authors: | Дуксин, М. В. |
| Keywords: | материалы конференций;реактивное ионно-лучевое распыление;пленки SIOC |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Дуксин, М. В. Формирование пленок SIOC реактивным ионно-лучевым распылением / М. В. Дуксин // Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем: сборник тезисов 54 научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 23–27 апреля 2018 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; отв. ред. Раднёнок А. Л. – Минск, 2018. – С. 139 - 140. |
| Abstract: | Исследованы процессы взаимодействия ионных пучков аргона и диоксида углерода с мишенями из диоксида
кремния. Плёнки формировались на подложках из кремния. Температура подложки не превышала 343 К. Компенсация
положительного заряда на мишени из диоксида кремния осуществлялась термоэлектронами. Установлено, что скорость
нанесения монотонно снижается с ростом содержания диоксида углерода в рабочем газе. Установлено, при распылении
мишени из диоксида кремния минимальное значение тангенса диэлектрических потерь было достигнуто при давлении
диоксида углерода 1,0610–2 Па. Увеличение парциального давления CО2 до 1,110–2 Па привело к росту электрического
сопротивления пленок. Однако дальнейший рост давления диоксида углерода способствовал резкому снижению удельного
объемного сопротивления. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32840 |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование и технология производства электронных систем : материалы 54-ой научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2018)
|
