Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33234
Название: Формирование структур PbZr0,54Ti0,46O3 в треках быстрых тяжелых ионов
Другие названия: Formation of PbZr0,54Ti0,46O3 structures in swift heavy ion tracks
Авторы: Петров, А. В.
Гурский, Л. И.
Каланда, Н. А.
Телеш, Е. В.
Минин, К. А.
Petrov, A. V.
Kalanda, M. A.
Gurskii, L. I.
Telesh, E. V.
Minin, K. A.
Ключевые слова: доклады БГУИР
треки быстрых тяжелых ионов
нанопоры
диоксид кремния
цирконат- титанат свинца
нанокластеры
диэлектрическая фаза
Дата публикации: 2010
Издательство: БГУИР
Библиографическое описание: Формирование структур PbZr0,54Ti0,46O3 в треках быстрых тяжелых ионов / А. В. Петров и др. // Доклады БГУИР. - 2010. - № 3 (49). - С. 62 - 67.
Краткий осмотр (реферат): Рассматриваются особенности создания нанокластеров PbZr0,54Ti0,46O3 в протравленных треках быстрых тяжелых ионов, сформированных в тонких слоях SiO2 на подложках монокристаллического кремния ориентации (100). Данная методика включает химическое осаждение металлов Pb, Zr и Ti в ионные треки, полученные облучением структуры Si/SiO2 ионами 197Au26+ с энергией 350 МэВ и флюенсом 5Ч108 см–2 с последующим отжигом при температуре Тотж=550єC и давлении кислорода pO2=2Ч105 Па. Параметры отжига структуры Si/SiO2 (PbZr0,54Ti0,46O3) были определены благодаря оптимизации процесса термообработки пленочных структур идентичного состава, напыленных ионно-лучевым методом на подложки Si/SiO2. Структурные особенности формирования нанокластеров PbZr0,54Ti0,46O3 выявлены с помощью рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии.A methodology of formation of PbZr0,54Ti0,46O3 nanoclusters in etched swift heavy ion tracks formed in SiO2 thin layers on single-crystalline (100) silicon substrates is developed in the present work. This methodology includes chemical deposition of Pb, Zr and Ti metals in the ion tracks obtained by irradiation of Si/SiO2 structure by ионами 197Au26+ ions with energy 350 MeV and fluence 5Ч108 cm–2 and their subsequent annealing at T=550єС and oxygen pressure pO2=2Ч105 Pа. Annealing parameters of the Si/SiO2 (PbZr0,54Ti0,46O3) structure were determined due to optimization of thermal treatment of thin-film structures having an identical composition, which have been sputtered on Si/SiO2 substrates. Characteristic features of PbZr0,54Ti0,46O3 nanocluster structure formation process are revealed by means of the X-ray photoemission spectroscopy.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33234
Располагается в коллекциях:№3 (49)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Petrov_Formation.PDF432,34 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.