Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34030
Название: Взаимосвязь электрофизических параметров в транзисторной МОП-структуре с 2D-каналом
Авторы: Маковская, Т. И.
Кривошеева, А. В.
Шапошников, В. Л.
Данилюк, А. Л.
Ключевые слова: публикации ученых
транзисторная МОП-структура
2D-канал
дихалькогениды тугоплавких металлов
Дата публикации: 2018
Издательство: Ковчег, РБ
Библиографическое описание: Взаимосвязь электрофизических параметров в транзисторной МОП-структуре с 2D-каналом / Т. И. Маковская и др. // Актуальные проблемы физики твердого тела: сборник докладов VIII Международной научной конференции, Минск, 24-28 сентября 2018 г. / ГНПЦ НАН Беларуси по материаловедению; ред. кол.: Н. М. Олехнович [и др.]. – Минск, 2018. – С. 107 – 109.
Краткий осмотр (реферат): В работе исследованы взаимосвязи электрофизических параметров в однозатворной транзиторной структуре с каналом из 2D-кристалла и проведено моделирование электрических переходных и выходных характеристик такой структуры с учетом выявленных взаимосвязей. Расчеты по предложенным моделям выполнены для 2D- ДТМ. Объектом рассмотрения является МОП-транзисторная структура, включающая расположенные на плоской подложке исток, 2D-кристалл в качестве канала, полевой затвор и сток.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34030
Располагается в коллекциях:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Makovskaya_Vzaimosvyaz.PDF281,72 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.