| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Маковская, Т. И. | - |
| dc.contributor.author | Кривошеева, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Шапошников, В. Л. | - |
| dc.contributor.author | Данилюк, А. Л. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-01-03T11:10:43Z | - |
| dc.date.available | 2019-01-03T11:10:43Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимосвязь электрофизических параметров в транзисторной МОП-структуре с 2D-каналом / Т. И. Маковская и др. // Актуальные проблемы физики твердого тела: сборник докладов VIII Международной научной конференции, Минск, 24-28 сентября 2018 г. / ГНПЦ НАН Беларуси по материаловедению; ред. кол.: Н. М. Олехнович [и др.]. – Минск, 2018. – С. 107 – 109. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34030 | - |
| dc.description.abstract | В работе исследованы взаимосвязи электрофизических параметров в
однозатворной транзиторной структуре с каналом из 2D-кристалла и проведено
моделирование электрических переходных и выходных характеристик такой структуры с
учетом выявленных взаимосвязей. Расчеты по предложенным моделям выполнены для 2D-
ДТМ. Объектом рассмотрения является МОП-транзисторная структура, включающая расположенные на плоской подложке исток, 2D-кристалл в качестве канала,
полевой затвор и сток. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Ковчег | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | транзисторная МОП-структура | ru_RU |
| dc.subject | 2D-канал | ru_RU |
| dc.subject | дихалькогениды тугоплавких металлов | ru_RU |
| dc.title | Взаимосвязь электрофизических параметров в транзисторной МОП-структуре с 2D-каналом | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
