Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34032
Название: Ab initio simulation of graphene interaction with SiO2 substrate for nanoelectronics application
Авторы: Hvazdouski, D. C.
Stempitsky, V. R.
Гвоздовский, Д. Ч.
Стемпицкий, В. Р.
Ключевые слова: публикации ученых
ab initio calculation
adsorption
amorphous SiO2
graphene
surface
Дата публикации: 2018
Издательство: Institute of Problems of Mechanical Engineering (Russian Academy of Sciences), Russian Federation
Библиографическое описание: Hvazdouski, D. C. Ab initio simulation of graphene interaction with SiO2 substrate for nanoelectronics application / D. C. Hvazdouski, V. R. Stempitsky // Materials Physics and Mechanics. – 2018. – V. 39. – P. 27 – 34. – doi: 10.18720/MPM.3912018_5.
Краткий осмотр (реферат): First-principles calculations were carried out by the Vienna Ab initio Simulation Package (VASP). Preliminary calculations showed that DFT-D3 method with Becke-Jonson damping present good agreement of lattice constant with experiment data. Ground state of graphene position on the SiO2 surfaces obtained has been determined. Interlayer distances between graphene and different types of quartz substrate have been calculated; the interlayer distances being 3.31 Å and 4.32 Å for models with open oxygen dangling bonds and with open silicon dangling bonds, respectively. The adsorption energy of graphene on the amorphous SiO2 surface with open oxygen dangling bonds is larger than the adsorption energy on the second type of surface. We observed the 0.12 eV band gap in the case with open oxygen dangling bonds. This kind of quartz surface can be source of a charge puddle.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34032
Располагается в коллекциях:Публикации в изданиях других стран

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Hvazdouski_Ab.pdf1,57 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.