Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34439
Title: Исследование теплопроводности многослойных, тонкоплёночных структур Si/Ge методом молекулярной динамики
Authors: Хомец, А. Л.
Холяво, И. И.
Сафронов, И. В.
Мигас, Д. Б.
Keywords: материалы конференций
тонкоплёночные структуры
метод молекулярной динамики
Issue Date: 2018
Publisher: БГУИР
Citation: Исследование теплопроводности многослойных, тонкоплёночных структур Si/Ge методом молекулярной динамики / А. Л. Хомец [и др.] // Радиотехника и электроника : материалы 54-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 23 - 27 апреля 2018 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - Минск, 2018. - С. 178.
Abstract: В данной работе сравнивалась фононная составляющая теплопроводности многослойных, тонкоплёночных структур на основе Si/Ge с различными ориентациями, различным количеством слоёв и различной толщиной слоёв Si и Ge, представленных на рисунке 1 Расчет проводился с помощью метода равновесной молекулярной динамики, реализованного в пакете LAMMPS.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34439
Appears in Collections:Радиотехника и электроника : материалы 54-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Khomets_Issledovaniye.PDF487,92 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.