Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34439
Название: Исследование теплопроводности многослойных, тонкоплёночных структур Si/Ge методом молекулярной динамики
Авторы: Хомец, А. Л.
Холяво, И. И.
Сафронов, И. В.
Мигас, Д. Б.
Ключевые слова: материалы конференций
тонкоплёночные структуры
метод молекулярной динамики
Дата публикации: 2018
Издательство: БГУИР
Библиографическое описание: Исследование теплопроводности многослойных, тонкоплёночных структур Si/Ge методом молекулярной динамики / А. Л. Хомец [и др.] // Радиотехника и электроника : материалы 54-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 23 - 27 апреля 2018 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. - Минск, 2018. - С. 178.
Краткий осмотр (реферат): В данной работе сравнивалась фононная составляющая теплопроводности многослойных, тонкоплёночных структур на основе Si/Ge с различными ориентациями, различным количеством слоёв и различной толщиной слоёв Si и Ge, представленных на рисунке 1 Расчет проводился с помощью метода равновесной молекулярной динамики, реализованного в пакете LAMMPS.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34439
Располагается в коллекциях:Радиотехника и электроника : материалы 54-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Khomets_Issledovaniye.PDF487,92 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.