Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34898
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСоловей, Д. В.-
dc.contributor.authorМозалев, А. М.-
dc.contributor.authorГорох, Г. Г.-
dc.date.accessioned2019-04-02T08:18:42Z-
dc.date.available2019-04-02T08:18:42Z-
dc.date.issued2008-
dc.identifier.citationСоловей, Д. В. Формирование высокоупорядоченных матриц анодного оксида алюминия заданной толщины и морфологии / Д. В. Соловей, А. М. Мозалев, Г. Г. Горох // Доклады БГУИР. - 2008. - № 6 (36). - С. 65 - 72.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34898-
dc.description.abstractРазработан и исследован трехстадийный электрохимический метод формирования высокоупорядоченных матриц анодного оксида алюминия (АОА) заданной толщины и поверхностной морфологии на тонких пленках алюминия. Преимущества метода продемонстрированы на примере формирования низкопрофильных матриц АОА толщиной 850 нм в щавелевокислом электролите. Электронно-микроскопические исследования показали, что созданные матрицы представляют собой регулярный близкий к идеальному массив вертикально ориентированных пор диаметром 70 нм. Предложен механизм упорядочения ячеисто-пористой структуры АОА в процессе ее формирования. Изготовленные матрицы предназначены для создания упорядоченных массивов низкоразмерных структур.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectанодный оксид алюминияru_RU
dc.subjectупорядоченные диэлектрические матрицыru_RU
dc.subjectнаноструктурыru_RU
dc.subjectэлектрохимические процессыru_RU
dc.titleФормирование высокоупорядоченных матриц анодного оксида алюминия заданной толщины и морфологииru_RU
dc.title.alternativeFormation of high ordered matrixes of anodic alumina with necessary thickness and morphologyru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationAn original, three-step electrochemical method has been developed for ordering the nanoporous structure of anodic films grown on sputter-deposited aluminium layers of various thicknesses and grain morphologies. The advantageous of the method have been demonstrated for the case of a 850-nm anodic film grown on a sputtered aluminium layer in oxalic acid electrolyte. Scanning electron microscopy has shown that the film is composed of a nearly ideal array of about 70-nm pores extended vertically right from the film top to the film/substrate interface, which is impossible to achieve by normal anodizing aluminium films. A mechanism explaining the growth of the ordered anodic films has been proposed.-
Appears in Collections:№6 (36)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Solovei_Formation.PDF709.37 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.