Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35664
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorТитович, Н. А.-
dc.contributor.authorТеслюк, В. Н.-
dc.contributor.authorТарасенко, В. А.-
dc.date.accessioned2019-07-09T06:38:08Z-
dc.date.available2019-07-09T06:38:08Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationТитович, Н. А. Моделирование воздействия электромагнитных помех на интегральные микросхемы / Н. А. Титович, В. Н. Теслюк, В. А. Тарасенко // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVII Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 11 июня 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол. : Т. В. Борботько [и др.]. – Минск, 2019. – С. 70.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/35664-
dc.description.abstractПри исследовании влияния электромагнитных помех (ЭМП) на интегральные микросхемы (ИМС), блоки и устройства радиоаппаратуры целесообразно проводить испытания с использованием TEM-камеры. При этом перед экспериментом проводится предварительное расчетное моделирование влияния ЭМП на ИМС и устройства. Это позволяет значительно сократить затраты времени и средств. Используя для расчетов библиотеку ранее разработанных простых моделей, можно прибегать к проведению эксперимента только на стадии испытаний законченного изделия.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectэлектромагнитные помехиru_RU
dc.subjectинтегральные микросхемыru_RU
dc.titleМоделирование воздействия электромагнитных помех на интегральные микросхемыru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:ТСЗИ 2019

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Titovich_Modelirovaniye.pdf113.21 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.