https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36280| Title: | Радиационная стойкость биполярных интегральных микросхем |
| Authors: | Стельмахов, Р. В. |
| Keywords: | материалы конференций;биполярные интегральные микросхемы;транзисторы |
| Issue Date: | 2019 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Стельмахов, Р. В. Радиационная стойкость биполярных интегральных микросхем / Р. В. Стельмахов // Радиотехника и электроника: 55-я юбилейная научная конференция аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22-26 апреля 2019 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2019. – С. 212 – 213. |
| Abstract: | Целью работы является исследование основных параметров транзисторов (коэффициента усиления по току, токов утечки и падения напряжения на переходах коллектор-база и эмиттер-база), являющихся элементной базой биполярных интегральных микросхем, в условиях воздействия радиации. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/36280 |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 55-й юбилейной научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2019) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Stelmakhov_Radiatsionnaya.pdf | 478.08 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.