https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42896| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Муравьев, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Павлючек, А. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-02-09T07:44:06Z | - |
| dc.date.available | 2021-02-09T07:44:06Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Графеновый полевой транзистор : пат. 11987 U Респ. Беларусь : МПК (2006) B H 01L 29/786, B 82B 1/00 / Мищенко В. Н., Муравьев В. В., Павлючек А. А. ; заявитель и патентообладатель УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № u 20180201 ; заявл. 01.10.2018 ; опубл. 30.04.2019. – 5 с. : ил. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/42896 | - |
| dc.description.abstract | Полевой транзистор с затвором, выполненным из комбинации металлов титан/платина/золото и изолированным слоем диоксида кремния, содержащий контактные области истока и стока, выполненные из комбинации металлов титан/платина/золото, которые вместе со слоем диоксида кремния расположены на слое графена, который, в свою очередь, расположен на поверхности полупроводниковой подложки, отличающийся тем, что контактные области истока и стока полностью расположены на слое графена, а полупроводниковая подложка выполнена из материала арсенид галлия. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Национальный центр интеллектуальной собственности | ru_RU |
| dc.subject | патенты | ru_RU |
| dc.subject | полевые транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | графеновые транзисторы | ru_RU |
| dc.title | Графеновый полевой транзистор | ru_RU |
| dc.title.alternative | Пат. 11987 U Респ. Беларусь | ru_RU |
| dc.type | Другое | ru_RU |
| Appears in Collections: | Полезные модели | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.