Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43176
Title: Получение золь-гель методом наноструктурированных материалов на основе танталата (танталата-ниобата) висмута-стронция для конденсаторных структур
Authors: Сидский, В. В.
Keywords: авторефераты диссертаций;золь-гель метод;наноструктурированные материалы
Issue Date: 2017
Publisher: БГУИР
Citation: Сидский, В. В. Получение золь-гель методом наноструктурированных материалов на основе танталата (танталата-ниобата) висмута-стронция для конденсаторных структур : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.16.08 / В. В. Сидский ; науч. рук. А. В. Семченко. – Минск : БГУИР, 2017. – 28 с.
Abstract: Одной из актуальных проблем современного приборостроения и микроэлектроники является получение сегнетоэлектриков для различных конденсаторных структур, в том числе запоминающих устройств, сохраняющих информацию при отключении питания и обладающих повышенными значениями ёмкости и низкими токами утечки. Вследствие миниатюризации устройств возникает необходимость уменьшения толщин конденсаторных слоёв до нанометрового масштаба, в связи с этим определяющую роль начинают играть наноразмерные эффекты в сегнетоэлектриках, в частности, изменение температуры Кюри для наноструктурированных тонких слоёв в сравнении с объёмным материалом, а также усиление либо ослабление поляризации сегнетоэлектрика в зависимости от размера и формы наночастиц. Перспективным материалом в классе сегнетоэлектриков со структурой перовскита является танталат (танталат-ниобат) висмута-стронция SrBi2Ta2O9 (SrBi2(TaxNb1−x)2O9), который в отличие от Pb(ZrxTi1-x)О3 (PZT) обладает улучшенными усталостными характеристиками и сохраняет поляризацию даже после многократного количества циклов переключений поляризации.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43176
Appears in Collections:05.16.08 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике) (техническая и физико-математическая отрасли науки)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Sidskiy_Polucheniye.pdf1.02 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.