Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43433
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorДанилевич, Д. С.-
dc.date.accessioned2021-05-05T08:31:45Z-
dc.date.available2021-05-05T08:31:45Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationДанилевич, Д. С. Синтез пленок SiOF, полученных прямым осаждением из ионных пучков = Synthesis of SiOF films obtained by direct deposition from ion beams / Д. С. Данилевич // Электронные системы и технологии : сборник материалов 57-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 19-23 апреля 2021 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2021. – С. 172–174.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/43433-
dc.description.abstractИсследовано влияние состава рабочего газа и температуры подложки на электрофизические характеристики пленок SiOF, полученных прямым осаждением из ионных пучков моносилана, аргона, кислорода и хладона-14. Установлено, что увеличение парциального давления хладона-14 привело к существенному уменьшению диэлектрической проницаемости. Повышение температуры подложки привело к росту диэлектрической проницаемости, что это может быть связано с десорбцией фтора из покрытия.The effect of the composition of the working gas and the substrate temperature on the electrophysical characteristics of SiOF films obtained by direct deposition from ion beams of monosilane, argon, oxygen, and freon-14 is investigated. It was found that an increase in the partial pressure of freon-14 led to a significant decrease in the dielectric constant. An increase in the substrate temperature led to an increase in the dielectric constant, which may be due to the desorption of fluorine from the coating.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectlow-k диэлектрикиru_RU
dc.subjectSiOFru_RU
dc.subjectторцевой холловский ускорительru_RU
dc.subjectlow-k dielectricsru_RU
dc.subjectend-Hall acceleratorru_RU
dc.titleСинтез пленок SiOF, полученных прямым осаждением из ионных пучковru_RU
dc.title.alternativeSynthesis of SiOF films obtained by direct deposition from ion beamsru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Располагается в коллекциях:Электронные системы и технологии : материалы 57-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2021)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Danilevich_Sintez.pdf283.02 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.