| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Образцов, Н. С. | - |
| dc.contributor.author | Макаревич, С. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Пинаев, А. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-09-15T08:20:41Z | - |
| dc.date.available | 2021-09-15T08:20:41Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.citation | Образцов, Н. С. Схемотехнические решения импульсной защиты на МОП-транзисторах / Образцов Н. С., Макаревич С. Ю., Пинаев А. И. // Доклады БГУИР. – 2005. – № 5. – С. 81. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45311 | - |
| dc.description.abstract | Типовая двухступенчатая схема защиты выводов ИС состоит из полевого транзистора с заземленным каналом, который используется как вторичный защитный элемент для ограничения импульса наводок. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | защита информации | ru_RU |
| dc.subject | информационная безопасность | ru_RU |
| dc.subject | МОП-транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | схемотехника | ru_RU |
| dc.subject | дискретные полевые транзисторы | ru_RU |
| dc.title | Схемотехнические решения импульсной защиты на МОП-транзисторах | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | №5
|
