| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.contributor.author | Lovshenko, I. Y. | - |
| dc.contributor.author | Stempitsky, V. R. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-10-07T11:17:21Z | - |
| dc.date.available | 2021-10-07T11:17:21Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Ловшенко, И. Ю. Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистора / Ловшенко И. Ю., Стемпицкий В. Р. // Автоматизированные системы управления технологическими процессами АЭС и ТЭС = Instrumentation and control systems for NPP and TPP : материалы II Международной научно-технической конференции, Минск, 27-28 апреля 2021 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2021. – С. 257–262. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45568 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты моделирования воздействия потока протонов на электрические характеристики приборной структуры полевых транзисторов на основе GaAs. Определены зависимости максимального тока стока IС и напряжения отсечки от величины флюенса и энергии протонов, а также температуры окружающей среды. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | полевые транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | ионизирующее излучение | ru_RU |
| dc.subject | электрические характеристики | ru_RU |
| dc.subject | field-effect transistors | ru_RU |
| dc.subject | ionizing radiation | ru_RU |
| dc.subject | electrical characteristics | ru_RU |
| dc.title | Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистора | ru_RU |
| dc.title.alternative | The influence of protons in the electrical characteristics of arsenide-gallium field effect transistor | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of simulation the influence of the proton flux on the electrical characteristics of the device structure of field-effect transistors based on GaAs are presented. The dependences of the maximum drain current IC and cut-off voltage on the fluence value and proton energy, as well as on the ambient temperature are shown. | - |
| Appears in Collections: | Автоматизированные системы управления технологическими процессами АЭС и ТЭС (2021)
|
