| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Казючиц, В. О. | - |
| dc.contributor.author | Боровиков, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Шнейдеров, Е. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-10-22T10:30:24Z | - |
| dc.date.available | 2021-10-22T10:30:24Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Казючиц, В. О. Поиск информативных параметров как одна из задач процедуры индивидуального прогнозирования надежности полупроводниковых приборов / В. О. Казючиц, С. М. Боровиков, Е. Н. Шнейдеров // Интернаука : научный журнал. – 2021. – № 15 (191). – Ч. 2. – С. 11–16. – DOI : 10.32743/26870142.2021.15.191.265348. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/45700 | - |
| dc.description.abstract | Экземпляры полупроводниковых приборов повышенного уровня безотказности для работы в составе ответственной аппаратуры (военная и ракетно-космическая техника, электронная аппаратура обеспечения безопасности объектов и производственных процессов и т.д.) могут быть отобраны методом индивидуального прогнозирования надёжности приборов по их информативным параметрам. Выбор параметров, используемых в качестве информативных, является одной из важнейших задач процедуры прогнозирования надёжности. Применительно к конкретному типу полупроводниковых приборов информативные параметры, как правило, не известны и задача их поиска решается экспериментально. Успешному решению этой задачи будет способствовать чёткое понимание сути основных этапов процедуры индивидуального прогнозирования надёжности по информативным параметрам. В статье рассматривается общий подход к выполнению индивидуального прогнозирования надёжности полупроводниковых приборов по значениям их информативных параметров. На примере полевых транзисторов большой мощности типа КП744А поясняется экспериментальное определение информативных параметров. Размер исследуемой выборки транзисторов (200 экземпляров), значительное число измеренных электрических параметров (около 50) и разные электрические режимы измерения каждого из них обусловили большой объём экспериментальных данных, подлежащих обработке. Выполненный корреляционный анализ электрических параметров, исследуемых на информативность, позволил сократить их число и тем самым уменьшить объём контрольных операций для транзисторов при проведении в дальнейшем их ускоренных испытаний на надёжность. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Издательство «Интернаука» | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | транзисторы большой мощности | ru_RU |
| dc.subject | индивидуальное прогнозирование | ru_RU |
| dc.subject | информативные параметры | ru_RU |
| dc.subject | корреляционный анализ | ru_RU |
| dc.subject | high-power transistors | ru_RU |
| dc.subject | individual forecasting | ru_RU |
| dc.subject | informative parameters | ru_RU |
| dc.subject | correlation analysis | ru_RU |
| dc.title | Поиск информативных параметров как одна из задач процедуры индивидуального прогнозирования надежности полупроводниковых приборов | ru_RU |
| dc.title.alternative | Search for informative parameters as one of the tasks of the procedure of individual predictions of the reliability of semiconductor devices | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Instances of semiconductor devices with an increased level of reliability for operation as part of critical equipment (military and rocket and space technology, electronic equipment for ensuring the safety of facilities and production processes, etc.) can be selected by the method of individually predicting the reliability of devices according to their informative parameters. The choice of parameters used as informative is one of the most important tasks of the reliability prediction procedure. As a rule, informative parameters are not known for a specific type of semiconductor devices, and the problem of their search is solved experimentally. The successful solution of this problem will be facilitated by a clear understanding of the essence of the main stages of the procedure for individual forecasting of reliability by informative parameters. The article discusses a general approach to the implementation of individual prediction of the reliability of semiconductor devices by the values of their informative parameters. Using the example of high-power field-effect transistors of the КП744A type, the experimental determination of informative parameters is explained. The size of the studied sample of transistors (200 copies), a significant number of measured electrical parameters (about 50) and different electrical measurement modes for each of them resulted in a large amount of experimental data to be processed. The performed correlation analysis of electrical parameters studied for informational content made it possible to reduce their number and thereby reduce a volume of the measure operations for transistors during their further accelerated tests for reliability. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
