| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Воробьева, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Уткина, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Грапов, Д. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2022-01-24T12:51:41Z | - |
| dc.date.available | 2022-01-24T12:51:41Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Металлизация переходных отверстий в кремниевых пластинах для создания трехмерных микроструктур / А. И. Воробьева [и др.] // Микроэлектроника. – 2021. – Т. 50, № 1. – С. 1–11. – DOI : 10.31857/S0544126921010105. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/46592 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы процессы электрохимического осаждения меди в матрицу вертикальных отверстий разного диаметра (500–2000 нм) в подложках Si/SiO2 с барьерным слоем TiN на дне отверстий. Морфологические исследования металла в отверстиях показали, что структура кластеров меди достаточно однородна и формируется из кристаллитов размером ~30–50 нм. Повторяемость и стабильность при однородной структуре и 100% -ной степени заполнения отверстий Cu определяют перспективу применения системы Si/SiO2/Cu в качестве базового элемента для создания трехмерных микро- и наноструктур, и для 3D сборки кристаллов ИМС. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | ИКЦ "Академкнига" | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | электрохимическое осаждение | ru_RU |
| dc.subject | медь | ru_RU |
| dc.subject | барьерный слой | ru_RU |
| dc.subject | трехмерная сборка кристаллов | ru_RU |
| dc.subject | металлизация | ru_RU |
| dc.subject | морфологические характеристики | ru_RU |
| dc.title | Металлизация переходных отверстий в кремниевых пластинах для создания трехмерных микроструктур | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
