| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Емельянов, В. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
| dc.date.accessioned | 2023-01-04T09:51:59Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-04T09:51:59Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.citation | Емельянов, В. В. Многослойные системы металлизации субмикронных интегральных схем = Multilayer metallization systems of submicron integrated circuits / В. В. Емельянов // Доклады БГУИР. – 2022. – Т. 20, № 7. – С. 36 – 42. – DOI : http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2022-20-7-36-42. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49656 | - |
| dc.description.abstract | Cоздание многоуровневой системы межсоединений в субмикронных интегральных схемах позволяет уменьшить электрическое сопротивление токопроводящих дорожек, паразитную емкость между проводниками и ускорить быстродействие приборов микроэлектроники. Предлагается формировать поперечный профиль токоведущих дорожек системы многослойной системы металлизации в форме равнобочной трапеции с углами при нижнем основании, равными 75º−85º. Оптимальные углы наклона боковых поверхностей токоведущих дорожек обеспечиваются предлагаемыми режимами плазмохимического травления пленки на основе сплава алюминия. Травление пленки сплава на основе алюминия проводят в плазме газовой смеси BCl3, Cl2 и N2 при давлении 150–250 мТорр, плотности мощности 1,6–2,2 Вт/см2 со следующим содержанием компонентов, об.%: BCl3 – 50–65; Cl2 – 25–35; N2 – остальное. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | субмикронная интегральная схема | ru_RU |
| dc.subject | многослойная токопроводящая система | ru_RU |
| dc.subject | алюминиевая металлизация | ru_RU |
| dc.title | Многослойные системы металлизации субмикронных интегральных схем | ru_RU |
| dc.title.alternative | Multilayer metallization systems of submicron integrated circuits | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The creation of a multilevel system of interconnections in submicron integrated circuits makes it possible to reduce the electrical resistance of conductive tracks, parasitic capacitance between conductors, and increase the speed of microelectronic devices. It is proposed to form a transverse profile of the current-carrying tracks of a multilayer metallization system in the form of an isosceles trapezoid with angles at the lower base equal to 75–85 degrees. Etching of an aluminum-based alloy film is carried out in a plasma gas mixture of BCl3, Cl2, and N2 at the pressure of 150–250 mTorr and power density of 1.6–2.2 W/cm2, with the following component content, vol.%: BCl3 – 50–65; Cl2 – 25–35; N2 – the rest. | ru_RU |
| Appears in Collections: | № 20(7)
|
