DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Баранов, В. В. | - |
dc.contributor.author | Беляева, А. К. | - |
dc.contributor.author | Паращук, В. В. | - |
dc.contributor.author | Рябцев, Г. И. | - |
dc.contributor.author | Телеш, Е. В. | - |
dc.coverage.spatial | Минск | ru_RU |
dc.date.accessioned | 2023-01-31T07:44:19Z | - |
dc.date.available | 2023-01-31T07:44:19Z | - |
dc.date.issued | 2011 | - |
dc.identifier.citation | Способ изготовления алмазного теплоотводящего основания для лазерных диодных структур : пат. 14404 Респ. Беларусь : МПК (2009) H 01S 3/04, H 01S 5/00, H 01L 21/02, H 01L 33/00 / Баранов В. В., Беляева А. К., Паращук В. В., Рябцев Г. И., Телеш Е. В. ; заявитель и патентообладатель ГНУ Институт физики им. Б. И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, УО Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – № a 20090892 ; заявл. 18.06.2009 ; опубл. 30.06.2011. – 7 с. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/49796 | - |
dc.description.abstract | Изобретение относится к квантовой электронике, полупроводниковой и оптоэлектронной технологии, в частности к технологии изготовления когерентных излучателей для систем накачки мощных твердотельных лазеров, создания медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования и других целей. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | Национальный центр интеллектуальной собственности | ru_RU |
dc.subject | патенты | ru_RU |
dc.subject | когерентные излучатели | ru_RU |
dc.subject | твердотельные лазеры | ru_RU |
dc.subject | лазерные диодные структуры | ru_RU |
dc.title | Способ изготовления алмазного теплоотводящего основания для лазерных диодных структур | ru_RU |
dc.title.alternative | Пат. 14404 Респ. Беларусь | ru_RU |
dc.type | Other | ru_RU |
Appears in Collections: | Изобретения
|