Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/50620
Title: Устройство для коррекции отказов в полупроводниковой памяти
Other Titles: А. с. 1049981 А СССР
Authors: Лосев, В. В.
Урбанович, П. П.
Keywords: патенты;вычислительная техника;полупроводниковые БИС;элементы И
Issue Date: 1983
Publisher: Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий
Citation: Устройство для коррекции отказов в полупроводниковой памяти : а. с. 1049981 А СССР : МПК G 01 R 23/02 / Лосев В. В., Урбанович П. П. ; заявитель и патентообладатель Минский радиотехнический институт. – № 3444112/18-24 ; заявл. 16.04.1982 ; опубл. 23.10.1983 – 8 с. : ил.
Abstract: Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении больших интегральных схем запоминающих устройств (БИС ЗУ) с многоразрядной организацией накопителя, имеющих большую площадь кристаллов и блоков памяти повышенной надежности.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/50620
Appears in Collections:Изобретения

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Pat_1049981.pdf662.16 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.