https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5084| Title: | Эпитаксиальные пленки селенида цинка на пористом кремнии |
| Other Titles: | Epitaxial films of zinc selenide on porous silicon |
| Authors: | Левченко, В. И. Постнова, Л. И. Труханова, Е. Л. Бондаренко, В. П. |
| Keywords: | доклады БГУИР;эпитаксиальные пленки;селенид цинка;пористый кремний |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Эпитаксиальные пленки селенида цинка на пористом кремнии / В. И. Левченко [и др.] // Доклады БГУИР. - 2015. - № 6 (92). - С. 100 - 102. |
| Abstract: | Эпитаксиальные пленки ZnSe выращены путем термического испарения соединения ZnSe на подложках Si ориентации (111) и (100) с буферным пористым слоем. Кристаллическая структура осаждаемых пленок контролировалась методом рентгеновской дифрактометрии. Морфология пленок изучалась методом растровой электронной микроскопии высокого разрешения. Установлено, что использование пористого буферного слоя позволяет повысить качество пленок по сравнению с пленками, осажденными на монолитный Кремний. |
| Alternative abstract: | ZnSe epitaxial films are grown on (111)- and (100)-oriented Si substrates with a porous buffer layer by the thermal evaporation of ZnSe compound. The crystal structure of the deposited films was controlled by X-ray diffraction. The morphology of the films was studied by high-resolution scanning electron microscopy. It was demonstrated the porous buffer layer provides improving the quality of the films compared with films deposited on the monolithic silicon. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5084 |
| Appears in Collections: | №6 (92) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Levchenko_Epitaksialnyye.PDF | 669.6 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.