Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5115
Title: Фторидно-гидридная технология получения поликристаллического солнечного кремния из продуктов переработки апатитов
Other Titles: Fluoride-hydrogen technology of obtaining polycrystalline solar grade silicon from by-products of apatite
Authors: Степаненко, Н. В.
Keywords: полупроводниковый кремний;поликристаллический кремний;побочный продукт переработки апатитов;кремнефторид натрия;тетрафторид кремния;моносилан;термолиз;термодинамический анализ;технология;semiconductor silicon;polycrystailine silicon;by-product of apatite processing sodium siliconfluoride;silicon tetrafluoride;monosilane;thermal decomposition;pyrolysis;thermodynamic analysis
Issue Date: 2002
Publisher: БГУИР
Citation: Степаненко, Н. В. Фторидно-гидридная технология получения поликристаллического солнечного кремния из продуктов переработки апатитов : автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.27.06 / Н. В. Степаненко; науч. рук. В. П. Василевич. - Мн.: БГУИР, 2002. - 22 с.
Abstract: Теоретически обоснован процесс преобразования кремнефторида натрия, применение гидрида кальция в качестве восстановителя - донор» водорода для конвертации тетрафторида кремния в моносилан, выбор условий процесса термолиза моносилана, разработаны аппаратно-технологические схемы, лабораторные установки и получен поликристаллический солнечный кремний из отходов переработки апатитов.
Alternative abstract: Theoretically proved the process of converting sodium siliconfluoride, calcium hydride application as a restorer and donor of hydrogen for converting silicon tetrafluoride into monosilane, choice of processing conditions of monosilane thermal decomposition, apparatus-technological schemes and laboratory equipment have been developed, polycrystailine solar grade silicon has been obtained from by-product of apatite processing. Silicon tetrafluoride produced from the developed technology provides the synthesis of polycrystailine solar grade silicon according to the contents of boron and carbon impurities in obtained silicon.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5115
Appears in Collections:05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Степаненко.pdf1.25 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.