| Title: | Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления в интегральном исполнении на кремнии |
| Other Titles: | Tunneling magnetoresistance memory elements integrated on silicon |
| Authors: | Костров, А. И. |
| Keywords: | авторефераты диссертаций;энергонезависимая магниторезистивная память;магнитный туннельный переход;гетероструктура ферромагнетик/диэлектрик/ полупроводник;переключение методом передачи спина;non-volatile magnetoresistive memory;magnetic tunnel junction;heterostructure ferromagnetic/insulator/semiconductor;spin torque transfer |
| Issue Date: | 2011 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Костров, А. И. Элементы памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления в интегральном исполнении на кремнии: автореф. дисс. ... кандидата технических наук : 05.16.08 / А. И. Костров; науч. рук. В. Р. Стемпицкий. - Мн.: БГУИР, 2011. - 20 с. |
| Abstract: | Цель диссертационной работы состоит в разработке принципов построения, электрической модели и макромодели запоминающего устройства на эффекте туннельного магнитосопротивления, предназначенных для использования в современных системах проектирования интегральных микросхем на кремнии. |
| Alternative abstract: | The goal of this thesis is to elaborate the principles of construction, an electrical model and a macromodel for a storage device based on the effect of tunneling magnetoresistance, intended for up-to-date design systems of silicon integrated microcircuits. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/5279 |
| Appears in Collections: | 05.16.08 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике) (техническая и физико-математическая отрасли науки)
|
