Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53699
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorШапошников, В. Л.-
dc.contributor.authorКривошеева, А. В.-
dc.contributor.authorПушкарчук, В. А.-
dc.contributor.authorПушкарчук, А. Л.-
dc.contributor.authorБорисенко, В. Е.-
dc.coverage.spatialМинскen_US
dc.date.accessioned2023-11-21T08:13:18Z-
dc.date.available2023-11-21T08:13:18Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationЭлектронные и оптические свойства g-С 3 N 4 с дефектами и примесями / В. Л. Шапошников [и др.] // Фуллерены и наноструктуры в конденсированных средах : сборник научных статей сборник научных статей XIII Международной научной конференции, Минск, 20–22 сентября 2023 г. / Национальная академия наук Беларуси, Институт тепло- и массообмена имени А. В. Лыкова ; редкол. П. А. Витязь [и др.]. – Минск, 2023. – С. 397–403.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/53699-
dc.description.abstractГрафитоподобный нитрид углерода (ГНУ) g-C 3 N 4 являетcя новым материалом с интересными оптическими свойствами. Представляет интерес возможность модификации его свойств благодаря дефектам и примесям. Посредством методов квантовой химии моделировали двуслойную систему g-C 3 N 4 , а также легирование ее атомами кислорода. Двуслойная система моделировалась наноструктурами предложенными нами в работе [1] по моделированию осаждения слоя ГНУ на поверхность g-C 3 N 4 . В этом случае поверхность моделировали одним слоем C 18 N 27 H 9 (1CN), для которого не проводилась релаксация атомов. Осаждение второго слоя моделировали добавлением в систему еще одной структуры 1CN с формированием наноструктурированного композита (НК) 1CN op /1CN, где op означает, что проводилась оптимизация геометрии только осаждающегося слоя 1CN op , а атомы слоя 1CN фиксировались.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherИнститут тепло- и массообмена имени А. В. Лыковаen_US
dc.subjectпубликации ученыхen_US
dc.subjectдисульфиды молибденаen_US
dc.subjectфосфореныen_US
dc.subjectмагнитные моментыen_US
dc.titleЭлектронные и оптические свойства g-С 3 N 4 с дефектами и примесямиen_US
dc.typeArticleen_US
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Shaposhnikov_Elektronnie.pdf293.79 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.