Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54105
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЗайцев, В. А.-
dc.contributor.authorПодрябинкин, Д. А.-
dc.contributor.authorМельникова, В. В.-
dc.contributor.authorДанилюк, А. Л.-
dc.coverage.spatialНовополоцкen_US
dc.date.accessioned2024-01-16T07:36:45Z-
dc.date.available2024-01-16T07:36:45Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationМодель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом для систем автоматизированного проектирования = Electrophysical parameters interrelation model for cad systems / В. А. Зайцев [и др.] // Вестник Полоцкого государственного университета. Серия С, Фундаментальные науки. – 2023. – № 2 (41). – С. 63–68.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54105-
dc.description.abstractПредставлена модель и установлены закономерности взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом, основанные на самосогласовании электрохимического потенциала и концентрации носителей заряда двумерного канала в полевой транзисторной структуре. Такое самосогласование обеспечивается совмещением статистики Ферми – Дирака с условием электронейтральности транзисторной структуры. Рассмотрено влияние на электрофизические параметры транзисторной структуры с двумерным полупроводниковым каналом ширины запрещенной зоны мате- риала канала, емкости подзатворного диэлектрика, емкости интерфейсных состояний. Разработанная модель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом может использоваться в системах автоматизированного проектирования элементной базы микро- и наноэлектроники.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherПолоцкий государственный университетen_US
dc.subjectпубликации ученыхen_US
dc.subjectтранзисторные структурыen_US
dc.subjectдвумерные полупроводникиen_US
dc.subjectэлектрохимический потенциалen_US
dc.titleМодель взаимосвязи электрофизических параметров транзисторной структуры с двумерным каналом для систем автоматизированного проектированияen_US
dc.title.alternativeElectrophysical parameters interrelation model for cad systemsen_US
dc.typeArticleen_US
dc.identifier.DOIDOI 10.52928/2070-1624-2023-41-2-63-68-
local.description.annotationA model is presented and regularities are established for the relationship between the electrophysical parameters of a transistor structure and a two-dimensional channel, based on the self-consistency of the electrochemical potential and the concentration of charge carriers of a two-dimensional channel in a field-effect transistor structure. Such self-consistency is ensured by combining the Fermi – Dirac statistics with the condition of electrical neutrality of the transistor structure. The effect on the electrophysical parameters of a transistor structure with a two-dimensional semiconductor channel is considered for the band gap of the channel material, the capac- itance of the gate dielectric, and the capacitance of interface states. The developed model of the relationship between the electrophysical parameters of a transistor structure with a two-dimensional channel can be used in computeraided design systems for the element base of micro- and nanoelectronics.en_US
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Zajcev_Model'.pdf350.66 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.