Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54367
Title: Temperature dependence of the band gap of AgIn7S11 single crystals
Other Titles: Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn7S11
Authors: Bodnar, I. V.
Feshchanka, A. A.
Khoroshko, V. V.
Pavlovskii, V. N.
Svitsiankou, I. E.
Yablonskii, G. P.
Keywords: публикации ученых;bridgman method;single crystals;crystalline structure;transmission spectra;band gap
Issue Date: 2023
Publisher: Национальная академия наук Беларуси
Citation: Temperature dependence of the band gap of AgIn7S11 single crystals = Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn7S11 / I. V. Bodnar [и др.] // Весці Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. Серыя фізіка-матэматычных навук. – 2023. – Т. 59, № 1. – С. 81–86.
Abstract: AgIn7S11 single crystals are herein grown by the vertical Bridgman method. The composition of the obtained single crystals is determined by X-ray microprobe analysis as well as the crystal structure – by X-ray diffraction analysis. It is shown that the obtained single crystals are crystallized in the cubic spinel structure. Using transmission spectra in the temperature range 10–320 K we determined the band gap of these single crystals and plotted its temperature dependence. This dependence is similar to that of the majority of semiconductor materials, namely, Eg increases with decreasing the temperature. We showed the agreement of the calculated and experimental values.
Alternative abstract: Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn7S11. Методом рентгеноспектрального анализа определен их состав, рентгеновским методом – кристаллическая структура. Показано, что полученные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в интервале температур 10–320 К определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов и построена ее температурная зависимость. Данная зависимость имеет вид, характерный для большинства полупроводниковых материалов: с понижением температуры Eg возрастает. Показано, что расчетные и экспериментальные величины согласуются между собой.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54367
DOI: https://doi.org/10.29235/1561-2430-2023-59-1-81-86
Appears in Collections:Публикации в изданиях Республики Беларусь

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Bodnar_ Temperature.pdf934.99 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.