https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/618| Title: | Моделирование одиночного сбоя в МОП-транзисторе |
| Authors: | Ловшенко, И. Ю. |
| Keywords: | биполярный транзистор с изолированным затвором;конструкция;технология изготовления;оптимизация;материалы конференций |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Ловшенко, И. В. Моделирование одиночного сбоя в МОП-транзисторе // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - C. 85-86 |
| Abstract: | С развитием полупроводниковых технологий, когда постоянно уменьшаются размеры и напряжение питания интегральных микросхем (ИМС),а тактовая частота растет, задача повышения радиационной стойкости становится важной для производителей коммерческой микроэлектроники. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/618 |
| ISBN: | 978-985-543-038-5 |
| Appears in Collections: | Секция «Микро- и наноэлектроника» |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| моделирование одиночного.pdf | 429.68 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.