https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6272
Название: | Фундаментальные электронные и оптические свойства двумерных кристаллов дисульфидов тугоплавких металлов MoS2, WS2, TiS2 и TaS2 и соединений на их основе для создания наноэлектронных приборов на интерференционных эффектах : отчет о НИР (заключ.) |
Авторы: | Кривошеева, А. В. Шапошников, В. Л. Борисенко, В. Е. |
Ключевые слова: | отчеты о НИР;двумерный кристалл;зонная структура;оптические свойства;вакансионные дефекты |
Дата публикации: | 2015 |
Издательство: | БГУИР |
Описание: | Фундаментальные электронные и оптические свойства двумерных кристаллов дисульфидов тугоплавких металлов MoS2, WS2, TiS2 и TaS2 и соединений на их основе для создания наноэлектронных приборов на интерференционных эффектах : отчет о НИР (заключ.) / БГУИР; научный руководитель А. В. Кривошеева ; отв. исполнитель В. Л. Шапошников – Минск, 2015. – 77 с. - № ГР 20132360 |
Серия/номер: | № Ф13Ф-001; |
Аннотация: | Проведено компьютерное моделирование фундаментальных структурных, электронных и оптических свойств двумерных кристаллов MoS2, WS2, TiS2, TaS2 методами из первых принципов. Установлено, что вакансионные дефекты приводят к изменению характера энергетической щели, что может быть использовано для модификации транспортных свойств и характеристик полевых транзисторов на их основе. |
Гос. док-т: | № ГР 20132360 |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6272 |
Располагается в коллекциях: | Отчеты о НИР 2015 |
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
№ ГР 20132360 (13-7034)_Рук_НИР_Кривошеева.pdf Restricted Access | 3.32 MB | Adobe PDF | Открыть Запрос копии |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.