Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6272
Название: Фундаментальные электронные и оптические свойства двумерных кристаллов дисульфидов тугоплавких металлов MoS2, WS2, TiS2 и TaS2 и соединений на их основе для создания наноэлектронных приборов на интерференционных эффектах : отчет о НИР (заключ.)
Авторы: Кривошеева, А. В.
Шапошников, В. Л.
Борисенко, В. Е.
Ключевые слова: отчеты о НИР;двумерный кристалл;зонная структура;оптические свойства;вакансионные дефекты
Дата публикации: 2015
Издательство: БГУИР
Описание: Фундаментальные электронные и оптические свойства двумерных кристаллов дисульфидов тугоплавких металлов MoS2, WS2, TiS2 и TaS2 и соединений на их основе для создания наноэлектронных приборов на интерференционных эффектах : отчет о НИР (заключ.) / БГУИР; научный руководитель А. В. Кривошеева ; отв. исполнитель В. Л. Шапошников – Минск, 2015. – 77 с. - № ГР 20132360
Серия/номер: № Ф13Ф-001;
Аннотация: Проведено компьютерное моделирование фундаментальных структурных, электронных и оптических свойств двумерных кристаллов MoS2, WS2, TiS2, TaS2 методами из первых принципов. Установлено, что вакансионные дефекты приводят к изменению характера энергетической щели, что может быть использовано для модификации транспортных свойств и характеристик полевых транзисторов на их основе.
Гос. док-т: № ГР 20132360
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6272
Располагается в коллекциях:Отчеты о НИР 2015

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
№ ГР 20132360 (13-7034)_Рук_НИР_Кривошеева.pdf
  Restricted Access
3.32 MBAdobe PDFОткрыть    Запрос копии
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.