Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/8330
Title: Моделирование электрических характеристик приборных структур, включающих наноразмерные области Si/Ge, с протяженными приконтактными областями : отчет о НИР (заключ.)
Authors: Абрамов, И. И.
Коломейцева, Н. В.
Щербакова, И. Ю.
Abramov, I. I.
Keywords: отчеты о НИР
резонансное туннелирование
численные комбинированные модели
резонансно-туннельный диод
Si/Ge
Issue Date: 2012
Publisher: БГУИР
Citation: Моделирование электрических характеристик приборных структур, включающих наноразмерные области Si/Ge, с протяженными приконтактными областями ( заключительный ) : отчеты о НИР / БГУИР; научный руководитель И. И. Абрамов; отв. исполнитель Н. В. Коломейцева. – Минск, 2012. – 34 с. - № ГР 20102058
Series/Report no.: ГБЦ 10-7002;
Abstract: В результате выполнения по НИР получены следующие основные результаты. Разработана модель наноэлектронных приборных структур на эффекте резонансного туннелирования, учитывающая влияние зоны проводимости и валентной зоны. Получено удовлетворительное согласование результатов расчетов с экспериментальными данными. Разработаны средства моделирования приборных структур на эффекте резонансного туннелирования, включающие наноразмерные области Si/Ge, с протяженными приконтактными областями. С использованием разработанных модели и средств моделирования исследованы закономерности функционирования данных структур в зависимости от их конструктивно- технологических параметров.
Gov't Doc #: № ГР 20102058
URI: http://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/8330
https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/8330
Appears in Collections:Отчеты о НИР 2012

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
№ ГР 20102058 (10-7002)_Рук_НИР_Абрамов.pdf958,49 kBAdobe PDFView/Open Request a copy
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.