https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/8330
Название: | Моделирование электрических характеристик приборных структур, включающих наноразмерные области Si/Ge, с протяженными приконтактными областями : отчет о НИР (заключ.) |
Авторы: | Абрамов, И. И. Коломейцева, Н. В. Щербакова, И. Ю. |
Ключевые слова: | отчеты о НИР;резонансное туннелирование;численные комбинированные модели;резонансно-туннельный диод;Si/Ge |
Дата публикации: | 2012 |
Издательство: | БГУИР |
Описание: | Моделирование электрических характеристик приборных структур, включающих наноразмерные области Si/Ge, с протяженными приконтактными областями ( заключительный ) : отчеты о НИР / БГУИР; научный руководитель И. И. Абрамов; отв. исполнитель Н. В. Коломейцева. – Минск, 2012. – 34 с. - № ГР 20102058 |
Серия/номер: | ГБЦ 10-7002; |
Аннотация: | В результате выполнения по НИР получены следующие основные результаты. Разработана модель наноэлектронных приборных структур на эффекте резонансного туннелирования, учитывающая влияние зоны проводимости и валентной зоны. Получено удовлетворительное согласование результатов расчетов с экспериментальными данными. Разработаны средства моделирования приборных структур на эффекте резонансного туннелирования, включающие наноразмерные области Si/Ge, с протяженными приконтактными областями. С использованием разработанных модели и средств моделирования исследованы закономерности функционирования данных структур в зависимости от их конструктивно- технологических параметров. |
Гос. док-т: | № ГР 20102058 |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/8330 |
Располагается в коллекциях: | Отчеты о НИР 2012 |
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
№ ГР 20102058 (10-7002)_Рук_НИР_Абрамов.pdf Restricted Access | 958.49 kB | Adobe PDF | Открыть Запрос копии |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.