| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Коломейцева, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Романова, И. А. | - |
| dc.contributor.author | Abramov, I. I. | - |
| dc.contributor.author | Kolomejtseva, N. V. | - |
| dc.contributor.author | Labunov, V. A. | - |
| dc.contributor.author | Romanova, I. A. | - |
| dc.date.accessioned | 2016-10-26T12:42:02Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-27T12:15:21Z | - |
| dc.date.available | 2016-10-26T12:42:02Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-27T12:15:21Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типа / И. И. Абрамов и др. // Нано- и микросистемная техника. – 2015. – № 11. – С. 3 – 10. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/9753 | - |
| dc.description.abstract | С использованием разработанных численных моделей проведено моделирование резонансно-туннельных диодов (РТД)
на основе графена на подлож ках карбида кремния и гексагонального нитрида бора. Исследовано влияние различных
факторов на вольт-амперные характеристики. Показана важность использования самосогласованного расчета при
моделировании РТД на основе графена с протяженными приконтактными областями. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.language.iso | en | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | резонансно-туннельный диод | ru_RU |
| dc.subject | графен | ru_RU |
| dc.subject | карбид кремния | ru_RU |
| dc.subject | гексагональный нитрид бора | ru_RU |
| dc.subject | уравнение Шредингера | ru_RU |
| dc.subject | численная модель | ru_RU |
| dc.subject | моделирование | ru_RU |
| dc.subject | resonant tunneling diode | ru_RU |
| dc.subject | graphene | ru_RU |
| dc.subject | silicon carbide | ru_RU |
| dc.subject | hexagonal boron nitride | ru_RU |
| dc.subject | Schrodinger equation | ru_RU |
| dc.subject | numerical model | ru_RU |
| dc.subject | simulation | ru_RU |
| dc.title | Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типа | ru_RU |
| dc.title.alternative | Simulation of Graphene Resonant Tunneling Diodes on the Substrates of Various Types | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | The article describes the models developed on the numerical solution o f Schrodinger equation (model 1) and Schrddinger and Poisson equations (model 2). Simulation o f the two graphene resonant tunneling diodes on SiC (RTD 1) and h -B N (RTD 2) sub strates was performed using the proposed numerical models. The influence o f various factors (well width d, barrier width wb, tem perature T) on IV-characteristics was investigated. The importance o f a self-consistent calculation with the use o f model 2 fo r sim ulation o f graphene RTD with extended (passive) regions was illustrated. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
