Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/9755
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorАбрамов, И. И.-
dc.contributor.authorКоломейцева, Н. В.-
dc.contributor.authorЛабунов, В. А.-
dc.contributor.authorРоманова, И. А.-
dc.contributor.authorБасаев, А. С.-
dc.contributor.authorAbramov, I. I.-
dc.contributor.authorKolomejtseva, N. V.-
dc.contributor.authorLabunov, V. A.-
dc.contributor.authorRomanova, I. A.-
dc.contributor.authorBasaev, A. S.-
dc.date.accessioned2016-10-26T12:50:15Z-
dc.date.accessioned2017-07-27T12:15:18Z-
dc.date.available2016-10-26T12:50:15Z-
dc.date.available2017-07-27T12:15:18Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationМоделирование функционально-интегрированных структур на основе углеродных нанотрубок / И. И. Абрамов и др. // Нано- и микросистемная техника. – 2014. – № 5. – С. 11 – 15.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/9755-
dc.description.abstractПредложена численная комбинированная модель, предназначенная для моделирования гибридных функционально-интегрированных структур, представляющих собой совмещение резонансно-туннельного диода и полевого транзистора (РТД-ПТ). С ее помощью проведено моделирование РТД—ПТ на основе УНТ с различными индексами хиральности.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectуглеродные нанотрубкиru_RU
dc.subjectфункционально-интегрированная структураru_RU
dc.subjectкомбинированная однозонная модельru_RU
dc.subjectчисленное моделированиеru_RU
dc.subjectcarbon nanotubesru_RU
dc.subjecthybrid integrated structureru_RU
dc.subjectcombined one-band modelru_RU
dc.subjectnumerical simulationru_RU
dc.titleМоделирование функционально-интегрированных структур на основе углеродных нанотрубокru_RU
dc.title.alternativeSimulation of hybrid integrated structures based on carbon nanotubesru_RU
dc.typeArticleru_RU
local.description.annotationThe combined numerical model of hybrid integrated structures including resonant tunneling diode and field-effect transistor (RTD-FET) is proposed. Simulation of RTD-FET based on carbon nanotubes of different types (chirality) was realized with the use of the model.-
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
161029.PDF523.27 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.