| Issue Date | Title | Author(s) |
| 2023 | Базовый логический элемент программируемой логической интегральной схемы | Новиков, П. Э.; Корсак, К. В.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2016 | Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе» | Шелибак, И.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2015 | Высокотемпературные диоды Шоттки | Ловшенко, И. Ю.; Соловьев, Я. А.; Солодуха, В. А. |
| 2016 | Интегральный трехмерный магнитометр на основе датчиков Холла, изготовленный по стандартной КМОП технологии | Дао Динь Ха; Волчек, В. С.; Баранова, М. С.; Ловшенко, И. Ю.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2021 | Исследование эксплуатационных характеристик болометра | Садченко, В. В.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2015 | Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводников | Волчёк, В. С.; Дао Динь Ха; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2023 | Микроболометры на основе пленок аморфного кремния и оксида ванадия | Ган, Н. С.; Корсак, К. В.; Чиеу, Ч. В.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2014 | Моделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологии | Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Шелибак, И. М. |
| 2017 | Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных МОП-транзисторов | Яцевич, Н. А.; Стемпицкий, В. Р.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2020 | Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-моп-транзистора | Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Шандарович, В. Т. |
| 2014 | Моделирование одиночного сбоя в МОП-транзисторе | Ловшенко, И. Ю. |
| 2023 | Наноразмерные транзисторы с кольцевым затвором на основе сегнетоэлектриков | Волчик, К. О.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2015 | Нитрид галлия – перспективный материал радиационно-стойких полупроводниковых приборов | Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В.Р |
| 2020 | Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов с эффективной системой теплоотвода на основе графена | Волчёк, В. С.; Ловшенко, И. Ю.; Шандарович, В. Т.; Дао Динь Ха. |
| 2016 | Оптимизация конструктивно-технологических параметров элементной базы радиационно-стойких интегральных микросхем | Ловшенко, И. Ю.; Дворников, О. В.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2020 | Оптимизация конструктивных параметров и режимов технологических операций формирования приборных структур кремниевых микростриповых детекторов | Рощенко, П. С.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2016 | Оптимизация характеристик полевого транзистора, управляемого p-n-переходом с учетом низкотемпературных эффектов | Ловшенко, И. Ю.; Дворников, О. В. |
| 2023 | Оптические, механические и электрические характеристики теплового неохлаждаемого детектора болометрического типа на основе оксида ванадия | Чан Ван Чиеу; Корсак, К. В.; Новиков, П. Э.; Ловшенко, И. Ю.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Степанов, А. А.; Губаревич, А. А.; Колос, В. В.; Соловьёв, Я. А.; Левчук, Д. С.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2018 | Особенности приборно-технологического моделирования элементов интегральных микросхем в пакете Victory | Воронов, А. Ю.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2014 | Приборно-технологическое моделирование наноразмерных МОП-транзисторов | Чан Туан Чунг; Боровик, А. М.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Кулешов, А. А. |
| 2023 | Применение систем автоматизированного проектирования для учета механических напряжений при разработке неохлаждаемых тепловых детекторов болометрического типа | Чан Ван Чиеу; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Корсак, К. В.; Чан Туан Чунг; Дао Динь Ха; Колос, В. В. |
| 2013 | Проектирование IGBT- прибора высокого быстродействия | Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Турцевич, А. С.; Шелибак, И. |
| 2015 | Разработать математические методы и программное обеспечение для проведения статистической обработки результатов экспериментальных измерений : отчет о НИР (заключ.) | Стемпицкий, В. Р.; Кулешов, А. А.; Костров, А. И.; Ловшенко, И. Ю.; Чан Туан Чунг; Волчек, В. С. |
| 2013 | Разработать методическое обеспечение для организации проектирования заказных и радиочастотных интегральных микросхем с использованием программного комплекса компании Cadence: отчет о НИР (заключ.) | Нелаев, В. В.; Стемпицкий, В. Р.; Ловшенко, И. Ю.; Бурко, В. А. |
| 2014 | Разработка компактной модели моп-транзистора с глубоко субмикронными проектными нормами : отчет о НИР (заключ.) | Стемпицкий, В. Р.; Кулешов, А. А.; Костров, А. И.; Ловшенко, И. Ю.; Чан Туан Чунг; Боровик, А. М. |
| 2012 | Разработка методик оптимизации SPICE-параметров : отчет о НИР (заключ.) | Нелаев, В. В.; Стемпицкий, В. Р.; Костров, А. И.; Толкун, А. В.; Ловшенко, И. Ю.; Бурко, В. А. |
| 2018 | Разработка топологических решений аналого-цифровых преобразователей в системе автоматизированного проектирования компании Cadence | Галкин, Я. Д.; Демиденко, Е. В.; Кунц, А. В.; Русак, А. Т.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2023 | Расчет оптических параметров тонких пленок конструкционных материалов теплового неохлаждаемого детектора болометрического типа | Чан Ван Чиеу; Корсак, К. В.; Новиков, П. Э.; Ловшенко, И. Ю.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Степанов, А. А.; Губаревич, А. А.; Колос, В. В.; Соловьев, Я. А.; Левчук, Д. С.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2023 | Сравнение параметров и возможностей моделей гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs | Кратович, П. С.; Ловшенко, И. Ю. |
| 2017 | Технологические и конструктивные решения высокочастотных, мощных и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия | Ловшенко, И. Ю.; Волчек, В. С.; Дао Динь Ха; Ханько, В. Т.; Омер, Д. С.; Стемпицкий, В. Р. |
| 2021 | Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистора | Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Lovshenko, I. Y.; Stempitsky, V. R. |
