Skip navigation

Browsing by Author Ловшенко, И. Ю.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 29 to 31 of 31 < previous 
Issue DateTitleAuthor(s)
2023Сравнение параметров и возможностей моделей гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAsКратович, П. С.; Ловшенко, И. Ю.
2017Технологические и конструктивные решения высокочастотных, мощных и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлияЛовшенко, И. Ю.; Волчек, В. С.; Дао Динь Ха; Ханько, В. Т.; Омер, Д. С.; Стемпицкий, В. Р.
2021Учет воздействия протонов при анализе электрических характеристик арсенид-галлиевого полевого транзистораЛовшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Lovshenko, I. Y.; Stempitsky, V. R.