Skip navigation

Browsing by Author Пилипенко, В. А.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 14 to 33 of 33 < previous 
Issue DateTitleAuthor(s)
2020Инновационные технологии и оборудование субмикронной электроникиДостанко, А. П.; Аваков, С. М.; Голосов, Д. А.; Емельянов, В. В.; Завадский, С. М.; Колос, В. В.; Ланин, В. Л.; Мадвейко, С. И.; Мельников, С. Н.; Никитюк, Ю. В.; Петлицкий, А. Н.; Петухов, И. Б.; Пилипенко, В. А.; Плебанович, В. И.; Солодуха, В. А.; Соколов, С. И.; Телеш, Е. В.; Шершнев, Е. Б.
2016Использование четырехзондового наноманипулятора для измерения вольтамперной характеристики биполярного N-P-N -транзистораПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Шведов, С. В.; Панфиленко, А. К.; Петлицкая, Т. В.; Филипеня, В. А.; Жигулин, Д. В.
2006Исследование физико- механического состояния поверхности кристаллического кремния маятниковым методомДжилавдари, И. З.; Емельянов, В. А.; Пилипенко, В. А.; Петлицкая, Т. В.
2022Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработкиКовальчук, Н. С.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2018М – фактор как критерий качества технологического процесса изготовления полупроводниковых структурСолодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Петлицкая, Т. В.; Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.
2023Механизм формирования фиксированного заряда в слое SiO2, полученном термическим окислением кремнияПилипенко, В. А.; Омельченко, А. А.
2020Моделирование нагрева кремниевых пластин при быстрой термической обработке на установке «УБТО 1801»Соловьёв, Я. А.; Пилипенко, В. А.; Яковлев, В. П.
2018Оперативный анализ загрязнений кремниевых пластин рекомбинационно-активными примесями в производстве интегральных микросхемСолодуха, В. А.; Шведов, С. В.; Чигирь, Г. Г.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Петлицкая, Т. В.; Филипеня, В. А.; Солодуха, В. А.
2010Особенности вертикального масштабирования при создании биполярных микросхемПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Шведов, В. С.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
2006Оценка упругого натяжения поверхности материалов маятниковым методомДжилавдари, И. З.; Пилипенко, В. А.; Какошко, Е. Ю.; Петлицкая, Т. В.
2018Режимы быстрой термообработки системы Рt-Si для формирования силицида платиныСолодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Горушко, В. А.
2019Роботизированная установка быстрой термической обработки для создания изделий электронной техникиСолодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Яковлев, В. П.
2018Современные методы и оборудование для исследования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники в центре коллективного пользования "Белмикроанализ" ОАО"ИНТЕГРАЛ"Солодуха, В. А.; Петлицкий, А. Н.; Петлицкая, Т. В.; Пилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.
2020Структура и морфология слоев CrSi 2, сформированных при быстрой термообработкеСоловьёв, Я. А.; Пилипенко, В. А.; Гайдук, П. И.
2007Установка лазерного геттерирования кремниевых пластинВечер, Д. В.; Пилипенко, В. А.; Горушко, В. А.; Сякерский, В. С.; Петлицкая, Т. В.
2016Формирование тонких пленок оксида цинка комбинированным методом гидротермального и послойного атомного осажденияЧубенко, Е. Б.; Бондаренко, В. П.; Пилипенко, В. А.; Топалли, К.; Окяй, А. К.
2016Формирование нанокомпозитных материалов на основе пористого кремния и оксида цинка электрохимическим методомШерстнёв, А. И.; Чубенко, Е. Б.; Редько, С. В.; Петрович, В. А.; Пилипенко, В. А.; Бондаренко, В. П.
2021Формирование подзатворного диэлектрика нанометровой толщины методом быстрой термообработкиКовальчук, Н. С.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Шестовский, Д. В.
2021Формирование силицида никеля быстрой термообработкой в режиме теплового балансаПилипенко, В. А.; Соловьев, Я. А.; Гайдук, П. И.
2020Электронномикроскопические исследования системы Pt-Si при ее быстрой термообработкеСолодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Комаров, Ф. Ф.; Горушко, В. А.