Skip navigation

Browsing by Author Соловьев, Я. А.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 12 to 27 of 27 < previous 
Issue DateTitleAuthor(s)
2021Моделирование прямой ветви вольт-амперных характеристик диодов Шоттки с МОП-канавкамиСоловьев, Я. А.
2004Модель обратной вольтамперной характеристики и определение параметров контакта Шоттки с охранным кольцомСоловьев, Я. А.
2006Особенности формирования границы раздела Si/PtSi в диодах Шоттки для силовой электроникиТурцевич, А. С.; Соловьев, Я. А.; Ануфриев, Д. Л.; Мильчанин, О. В.
2017Повышение надежности мощных транзисторов при циклическом воздействии температурыВолкенштейн, С. С.; Солодуха, В. А.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф.; Хмыль, А. А.
2015Повышение устойчивости структур диодов Шоттки с охранным кольцом к разрядам статического электричестваСолодуха, В. А.; Ланин, В. Л.; Соловьев, Я. А.
2015Прогнозирование максимально допустимых потенциалов разрядов статического электричества и их влияние на диоды ШотткиСолодуха, В. А.; Ланин, В. Л.; Соловьев, Я. А.
2017Проектирование и производство изделий электронной техники : пособиеДостанко, А. П.; Голосов, Д. А.; Завадский, С. М.; Соловьев, Я. А.; Ковальчук, Н. С.; Мельников, С. Н.; Стасишина, А. М.; Ермоленко, М. В.
2023Расчет оптических параметров тонких пленок конструкционных материалов теплового неохлаждаемого детектора болометрического типаЧан Ван Чиеу; Корсак, К. В.; Новиков, П. Э.; Ловшенко, И. Ю.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Степанов, А. А.; Губаревич, А. А.; Колос, В. В.; Соловьев, Я. А.; Левчук, Д. С.; Стемпицкий, В. Р.
2014Солнечный элемент на основе диода шоттки с металлическим полупрозрачным наноячеистым электродомСмирнов, А. Г.; Степанов, А. А.; Муха, Е. В.; Сацкевич, Я. В.; Соловьев, Я. А.
2019Технологические модули и устройства программно-управляемого оборудования для производства изделий электроники. Лабораторный практикум : пособиеТелеш, Е. В.; Соловьев, Я. А.
2011Улучшение паяемости внешних выводов интегральных микросхем в корпусе DIPТурцевич, А. С.; Ланин, В. Л.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф.
2010Факторы, влияющие на герметичность мощных транзисторов в металлокерамических и металлостеклянных корпусахЛанин, В. Л.; Керенцев, А. Ф.; Соловьев, Я. А.
2011Физико-химические процессы производства изделий интегральной электроники: лаборатор. практикум по дисциплинам «Конструирование и технология изд. интеграл. электроники», «Физ.- хим. основы материалов и электрон. компонентов» для студентов специальностей «Проектирование и пр-во РЭС», «Электронно-оптические системы и технологии», «Электронные системы безопасности»Ануфриев, Л. П.; Достанко, А. П.; Касинский, Н. К.; Ковальчук, Н. С.; Коробко, А. О.; Ланин, В. Л.; Соловьев, Я. А.; Томаль, В. С.; Русецкий, А. М.
2005Формирование острия кремниевых зондов для сканирующих зондовых микроскоповЦиркунова, Н. Г.; Соловьев, Я. А.; Сергеев, О. В.; Борисенко, В. Е.
2021Формирование силицида никеля быстрой термообработкой в режиме теплового балансаПилипенко, В. А.; Соловьев, Я. А.; Гайдук, П. И.
2011Электрофизические процессы и оборудование в технологии микро– и наноэлектроникиДостанко, А. П.; Русецкий, А. М.; Бордусов, С. В.; Ланин, В. Л.; Ануфриев, Л. П.; Карпович, С. В.; Жарский, В. В.; Плебанович, В. И.; Адамович, А. Л.; Грозберг, Ю. А.; Голосов, Д. А.; Завадский, С. М.; Соловьев, Я. А.; Дайняк, И. В.; Ковальчук, Н. С.; Петухов, И. Б.; Телеш, Е. В.; Мадвейко, С. И.