Skip navigation

Browsing by Author Стемпицкий, В. Р.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 20 of 74  next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2018Direct exchange interaction of cobalt chains in zinc oxide: model approachБаранова, М. С.; Данилюк, А. Л.; Стемпицкий, В. Р.
2020Анализ результатов проектирования считывающей электроники кремниевых умножителей на основе базового матричного кристалла МН2ХА030Дворников, О. В.; Чеховский, В. А.; Галкин, Я. Д.; Кунц, А. В.; Стемпицкий, В. Р.; Прокопенко, Н. Н.
2022Аппаратные закладки в интегральных микросхемахКарманова, О. А.; Захаров, И. А.; Стемпицкий, В. Р.
2023Аппаратные трояны: внедрение и проблемы обнаруженияВоронов, А. Ю.; Стемпицкий, В. Р.
2016Биполярный транзистор с изолированным затвором, изготовленный в объемном кремнии и по технологии «Кремний на изоляторе»Шелибак, И.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.
2016Интегральный трехмерный магнитометр на основе датчиков Холла, изготовленный по стандартной КМОП технологииДао Динь Ха; Волчек, В. С.; Баранова, М. С.; Ловшенко, И. Ю.; Гвоздовский, Д. Ч.; Стемпицкий, В. Р.
2015Интернет-система управления деятельностью научно-исследовательского подразделенияСтемпицкий, В. Р.; Тимошенко, К. А.; Волчёк, С. А.
2004Исследование и оптимизация процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного германием как изовалентной примесьюБорисевич, В. М.; Ковалевский, А. А.; Нелаев, В. В.; Малышев, В. С.; Стемпицкий, В. Р.
2015Исследование из первых принципов структурных, электронных и магнитных свойств дефектных соединений ZnOИ ZnSnAs2,легированных переходными 3d-элементами : отчет о НИР (заключ.)Стемпицкий, В. Р.; Козлова, О. А.; Баркалин, В. В.; Долгая, Я. В.; Скачкова, В. А.; Зеленина, М. С.
2014Исследование механизма взаимодействия бактерии bacillus subtilis с поверхностью кремния посредством кванто-механических методов моделированияБурко, В. А.; Долгая, Я. В.; Стемпицкий, В. Р.; Баркалин, В. В.
2014Исследование первопринципными методами электронных свойств материалов, используемых в сенсорных устройствах широкого спектра назначения : отчет о НИР (заключ.)Стемпицкий, В. Р.; Козлова, О. А.
2014Исследование фундаментальных электронных, магнитных, оптических свойствкристаллических функциональных материалов посредствомab initio моделированияв базисе плоских волн в рамках разработки и апробации экспериментального образцагрид-сегмента системы моделирования из первых принципов : отчет о НИР (заключ.)Стемпицкий, В. Р.; Козлова, О. А.; Нелаев, В. В.
2014Исследование электронных свойств двухмерного кристалла MoS2 посредством первопринципных методов моделирования : отчет о НИР (заключ.)Стемпицкий, В. Р.; Козлова, О. А.; Бурко, В. А.
2014Исследование электронных свойств углеродных и других наноструктур с комплексами магнитоактивных дефектовкак элементов приборов наноэлектроники и спинтроники: отчет о НИР (заключ.)Стемпицкий, В. Р.; Костров, А. И.; Козлова, О. А.; Бурко, В. А.; Зеленина, М. С.
2011Исследовать фундаментальные закономерности спин-зависимых электронных явлений в квантово-размерных структурах, разработать и исследовать перспективные элементы обработки информации на их основе : отчет о НИР (заключ.)Борисенко, В. Е.; Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Филонов, А. Б.; Данилюк, А. Л.; Родина, Т. Н.; Панфиленок, А. С.; Кухарев, А. В.; Стемпицкий, В. Р.; Костров, А. И.
2015Квантово-механическое моделирование механизмов взаимодействия фрагмента клеточной стенки бактерии с поверхностью кремнияБурко, В. А.; Долгая, Я. В.; Стемпицкий, В. Р.; Романовская, Т. В.
2015Компьютерное моделирование взаимодействия наноструктурированных объектов с биомолекулярными структурами с целью оптимизации параметров процессов в медицинских и биологических приложениях : отчет о НИР (заключ.)Стемпицкий, В. Р.; Козлова, О. А.; Кулешов, А. А.; Скачкова, В. А.
2020Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистораВолчёк, В. С.; Стемпицкий, В. Р.
2015Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводниковВолчёк, В. С.; Дао Динь Ха; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.
2010Методические аспекты проектирования ИМСКостров, А. И.; Нелаев, В. В.; Цибулин, Ф. Л.; Стемпицкий, В. Р.