Skip navigation
DSpace logo
  1. Репозиторий БГУИР

Browsing by Author Стемпицкий, В. Р.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 16 to 35 of 74 < previous   next >
Issue DateTitleAuthor(s)
2015Квантово-механическое моделирование механизмов взаимодействия фрагмента клеточной стенки бактерии с поверхностью кремнияБурко, В. А.; Долгая, Я. В.; Стемпицкий, В. Р.; Романовская, Т. В.
2015Компьютерное моделирование взаимодействия наноструктурированных объектов с биомолекулярными структурами с целью оптимизации параметров процессов в медицинских и биологических приложениях : отчет о НИР (заключ.)Стемпицкий, В. Р.; Козлова, О. А.; Кулешов, А. А.; Скачкова, В. А.
2020Компьютерное моделирование сенсоров токсичных наночастиц на основе гетероструктурного полевого транзистораВолчёк, В. С.; Стемпицкий, В. Р.
2015Конструктивно-технологические особенности сенсорных устройств на основе широкозонных полупроводниковВолчёк, В. С.; Дао Динь Ха; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.
2010Методические аспекты проектирования ИМСКостров, А. И.; Нелаев, В. В.; Цибулин, Ф. Л.; Стемпицкий, В. Р.
2018Методы и модели для схемотехнического моделирования приборов силовой электроникиХанько, В. Т.; Стемпицкий, В. Р.
2015Методы реализации удаленного доступа к системам компьютерного проектирования в микроэлектроникеСтемпицкий, В. Р.; Найбук, М. Н.
2011Много-язычный сайт E-RUDIT "Интернет-система для организации и контроля качества учебного процесса"Нелаев, В. В.; Стемпицкий, В. Р.; Чунг, Чан Туан; Зыонг, Хоанг Нгок; Шелибак, И. М.
2014Моделирование биполярного транзистора с изолированным затвором, сформированного по КНИ-технологииЛовшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Шелибак, И. М.
2017Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных МОП-транзисторовЯцевич, Н. А.; Стемпицкий, В. Р.; Ловшенко, И. Ю.
2020Моделирование воздействия тяжелой заряженной частицы на электрические характеристики приборной структуры n-моп-транзистораЛовшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.; Шандарович, В. Т.
2011Моделирование и оптимизация элементной базы для КНИ структур схем памяти высокой информационной ёмкости : отчет о НИР (заключ.)Бондаренко, В. П.; Долгий, Л. Н.; Нелаев, В. В.; Стемпицкий, В. Р.; Клышко, А. А.; Чубенко, Е. Б.; Долгий, А. Л.; Редько, С. В.; Холостов, К. И.; Абрамов, К. И.; Шапель, А. П.
2021Нитрид-галлиевый гетероструктурный полевой транзистор с системой теплоотвода на основе канавки в слое пассивации, заполненной материалом с высокой теплопроводностьюВолчек, В. С.; Стемпицкий, В. Р.
2015Оптимизация конструктивно-технологических параметров и верификация электрических характеристик МОП-транзистора с 0,35 мкм проектными нормамиЧан, Туан Чунг; Стемпицкий, В. Р.; Сорока, С. А.
2016Оптимизация конструктивно-технологических параметров элементной базы радиационно-стойких интегральных микросхемЛовшенко, И. Ю.; Дворников, О. В.; Стемпицкий, В. Р.
2020Оптимизация конструктивных параметров и режимов технологических операций формирования приборных структур кремниевых микростриповых детекторовРощенко, П. С.; Ловшенко, И. Ю.; Стемпицкий, В. Р.
2014Оптимизация параметров диффузионно-дрейфовой моделиЧан Туан Чунг; Боровик, А. М.; Стемпицкий, В. Р.
2014Оптимизация параметров диффузионно-дрейфовой модели МОП-транзистораСтемпицкий, В. Р.; Боровик, А. М.; Чан, Т. Ч.
2023Оптические, механические и электрические характеристики теплового неохлаждаемого детектора болометрического типа на основе оксида ванадияЧан Ван Чиеу; Корсак, К. В.; Новиков, П. Э.; Ловшенко, И. Ю.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Степанов, А. А.; Губаревич, А. А.; Колос, В. В.; Соловьёв, Я. А.; Левчук, Д. С.; Стемпицкий, В. Р.
2015Опыт организации системы электронного обучения в Белостокском университетеБречко, Т.; Найбук, М. Н.; Рыбак, А.; Зеленина, М. С.; Стемпицкий, В. Р.
Showing results 16 to 35 of 74 < previous   next >