Skip navigation

Browsing by Author Фещенко, А. А.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 3 to 13 of 13 < previous 
Issue DateTitleAuthor(s)
2018Имитационное моделирование деградации солнечных батарей на основе поликристаллического кремнияФещенко, А. А.
2021Исследование твердых растворов (In2S3)х•(AgIn5S8)1-хБоднарь, И. В.; Фещенко, А. А.; Хорошко, В. В.; Bodnar, I. V.; Feshchenko, A. A.; Khoroshko, V. V.
2023Методы получения и исследование физико-химических и магнитных свойств полупроводниковых монокристаллов соединений группы MⅡB2ⅢC4Ⅵ и твердых растворов на их основе : монографияБоднарь, И. В.; Хорошко, В. В.; Фещенко, А. А.
2022Организация информационно-компьютерных систем и сетей. Курсовое проектирование : пособиеШнейдеров, Е. Н.; Фещенко, А. А.; Боровиков, С. М.
2021Поверхностно-барьерные структуры на основе твердых растворов (In2S3)х•(AgIn5S8)1–хФещенко, А. А.; Хорошко, В. В.
2021Система для роста монокристаллов соединений группы A1IN5S8, IN2S3 и твердых растворов на их основе (A1IN5S8)1-x – (IN2S3)xБоднарь, И. В.; Фещенко, А. А.; Хорошко, В. В.
2021Способы получения объемных структур соединений группы (AⅠ In5S8)1-x – (In2S3)xФещенко, А. А.
2021Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn8S12.5Боднарь, И. В.; Фещенко, А. А.; Хорошко, В. В.; Павловский, В. Н.; Свитенков, И. Е.; Яблонский, Г. П.
2020Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In2S3)x(AgIn5S8)1-xБоднарь, И. В.; Фещенко, А. А.; Хорошко, В. В.
2022Электрические и электронные компоненты устройств и систем. Лабораторный практикум : пособиеХорошко, В. В.; Боровиков, С. М.; Фещенко, А. А.; Соловьёв, Я. А.
2019Электрические и электронные компоненты устройств и систем : учеб.- метод. пособиеБаранов, В. В.; Хорошко, В. В.; Гременок, В. Ф.; Бересневич, А. И.; Фещенко, А. А.