Skip navigation

Browsing by Subject поверхностная рекомбинация

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 2 of 2
Issue DateTitleAuthor(s)
2005Влияние свойств границы раздела Si-SiO2 на параметры транзистораАлексеев, В. Ф.; Ковальков, Д. О.
2023Напряжение холостого хода в гетероструктуре оксид молибдена/кремний при облучении солнечным светомСамойлич, И. Д.