https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11058| Название: | Влияние дефектов на электронные свойства структур из слоистых дихалькогенидов тугоплавких металлов |
| Другие названия: | The influence of defects on the electronic properties of structures of layered dichalcogenides of refractory metals |
| Авторы: | Кривошеева, А. В. Шапошников, В. Л. Алексеев, А. Ю. |
| Ключевые слова: | доклады БГУИР;двумерные кристаллы;дихалькогениды тугоплавких металлов;электронная структура;примесь замещения;вакансия;two-dimensional crystals;dichalcogenides of refractory metals;electronic structure;substitutional impurity;vacancy |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издательство: | БГУИР |
| Описание: | Кривошеева, А. В. Влияние дефектов на электронные свойства структур из слоистых дихалькогенидов тугоплавких металлов / А. В. Кривошеева, В. Л. Шапошников, А. Ю. Алексеев // Доклады БГУИР. – 2016. – № 8 (102). – С. 82 – 88. |
| Аннотация: | Методами из первых принципов проведено компьютерное моделирование электронных спектров гетероструктур, сформированных из отдельных слоев двумерных кристаллов MoS2, WS2, WSe2 и MoSe2. Предложены два варианта взаимного расположения слоев. Исследована модификация свойств таких гетероструктур в зависимости от наличия в них примесей и дефектов. |
| Аннотация на другом языке: | Computer modeling of the electronic structure of heterostructures made of individual layers of two- dimensional crystals of MoS2, WS2, WSe2 and MoSe2 is performed by means of first-principles methods. Two variants of the mutual arrangement of the layers of two-dimensional crystals are suggested. Properties of such heterostructures in the presence of impurities and defects are investigated. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/11058 |
| Располагается в коллекциях: | №8 (102) |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Shaposhnikov_Vliyaniye.PDF | 879.8 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.