Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1435
Название: Радиационная стойкость кремниевых наноструктурированных фотовольтаических элементов, полученных в компрессионной плазме
Другие названия: Radiation resistance of silicon nanostructured photovoltaic elements formed in com- pression plasma
Авторы: Углов, В. В.
Квасов, Н. Т.
Асташинский, В. М.
Петухов, Ю. А.
Кузьмицкий, А. М.
Дорошевич, И. Л.
Ластовский, С. В.
Ключевые слова: доклады БГУИР;фотовольтаический эффект;кремний;радиационные дефекты;компрессионная плазма
Дата публикации: 2013
Издательство: БГУИР
Описание: Радиационная стойкость кремниевых наноструктурированных фотовольтаических элементов, полученных в компрессионной плазме / В. В. Углов [и др.] // Доклады БГУИР. - 2013. - № 2 (72). - С. 21 - 25.
Аннотация: Приводятся результаты исследований фотовольтаического эффекта, впервые обнаруженного авторами в легированном кремнии после облучения импульсами компрессионной плазмы. Определены оптимальные режимы обработки, обеспечивающие максимальное значение фотоЭДС. Установлены зависимости фотоЭДС от дозы облучения высокоэнергетическими электронами.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1435
Располагается в коллекциях:№2 (72)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Uglov_Radiatsionnaya.PDF611.07 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.