https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1586
Название: | Влияние гамма-излучения на элементы аналоговых интегральных схем |
Другие названия: | Influence of gamma radiation on analog IC-elements |
Авторы: | Дворников, О. В. Чеховский, В. А. Дятлов, В. Л. Богатырев, Ю. В. Ластовский, С. Б. |
Ключевые слова: | доклады БГУИР;радиационно-стойкие транзисторы;гамма-излучение;аналоговые интегральные схемы |
Дата публикации: | 2012 |
Издательство: | БГУИР |
Описание: | Дворников, О. В. Влияние гамма-излучения на элементы аналоговых интегральных схем / О. В. Дворников и другие // Доклады БГУИР. - 2012. - № 3 (65). - С. 56 - 62. |
Аннотация: | Рассмотрено влияние гамма-излучения Co60 на характеристики элементов аналоговых интегральных схем (ИС): входную вольтамперную характеристику (ВАХ) в схеме с общей базой (ОБ), выходную ВАХ в схеме общим эмиттером (ОЭ), зависимость статического коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ (β) от коллекторного тока (IC) для n-p-n- и p-n-p-транзисторов, выходную ВАХ полевого транзистора с p-n-переходом и каналом p-типа (p-ПТП) в схеме с общим истоком (ОИ). Установлено, что уменьшение напряжения отсечки p-ПТП не превышает 3 %, а максимального тока стока – менее 5 % при поглощенной дозе D = 5,345 Мрад. Максимум зависимости β = f(IC) n-p-n- и p-n-p-транзисторов уменьшается и сдвигается в область больших коллекторных токов при D < 0,845 Мрад. При поглощенной дозе, превышающей 0,845 Мрад, максимум β n-p-n-транзисторов слабо снижается, а для p- n-p-транзисторов – немного увеличивается (частично восстанавливается). |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1586 |
Располагается в коллекциях: | №3 (65) |
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Dvornikov_Vliyaniye.PDF | 571.14 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.