Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30713
Название: Исследование и оптимизация процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного германием как изовалентной примесью
Другие названия: Investigation and optimization of the deposition process of polycrystalline silicon films doped by germanium as an isovalent impurity
Авторы: Борисевич, В. М.
Ковалевский, А. А.
Нелаев, В. В.
Малышев, В. С.
Стемпицкий, В. Р.
Ключевые слова: доклады БГУИР;кинетика;изовалентная примесь;скорость осаждения;удельное электрическое сопротивление;аппроксимация;оптимизация
Дата публикации: 2004
Издательство: БГУИР
Описание: Исследование и оптимизация процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного германием как изовалентной примесью / В. М. Борисевич и другие // Доклады БГУИР. - 2004. - № 3 (7). - С. 139 - 151.
Аннотация: Проведено экспериментальное исследование кинетики роста пленок поликристаллического кремния, легированных изовалентной примесью — германием. Установлены закономерности влияния основных технологических параметров процесса на скорость роста и удельное электрическое сопротивление пленок. Тонкие пленки поликристаллического кремния, легированные германием и выращенные при температуре 6200 С, при пониженном давлении обладают лучшими структурно-морфологическими свойствами по сравнению с нелегированными пленками. На основании экспериментальных результатов получена аппроксимационная зависимость скорости осаждения, удельного электрического сопротивления от условий разложения моногидридов и состава газовой смеси. Приведены результаты решения задачи оптимизации значимых параметров исследованного процесса.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30713
Располагается в коллекциях:№3 (7)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Borisevich_Investigation.pdf781.61 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.