| Название: | МОП-конденсаторы повышенной емкости для субмикронных СБИС |
| Другие названия: | Effective MOS-capasitors for submicron VLSIs applications |
| Авторы: | Петлицкая, Т. В. |
| Ключевые слова: | доклады БГУИР;пленки с высокой диэлектрической проницаемостью;МОП-конденсаторы;свойства;применение в СБИС |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издательство: | БГУИР |
| Описание: | Петлицкая, Т. В. МОП-конденсаторы повышенной емкости для субмикронных СБИС / Т. В. Петлицкая // Доклады БГУИР. - 2003. - № 1. - С. 70 - 74. |
| Аннотация: | Предложен вариант комбинированного диэлектрика SiO2/Ta2O5, для конденсаторов СБИС. Дан
анализ его электрофизических и механических свойств. Рассмотрено влияние толщины каждого из диэлектриков на электрофизические свойства. Установлена зависимость изменения эффективного встроенного заряда в пленке Ta2O5 от радиуса кривизны пластины. На основании
изучения характеристик тестовых конденсаторов с различными вариантами толщины пленок
SiO2 и Ta2O5 определено оптимальное сочетание толщины пленок. Проведено промышленное
опробование разработанного диэлектрика на экспериментальных партиях пластин. |
| Аннотация на другом языке: | Main properties of MOS-capasitors on the basis SiO2/Ta2O5 have been investegated. The dependence of effective installed charge in Ta2O5 thin film on wafer radius has been obtained. Test capasitors were created within VLSIs in standard industrial conditions. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30783 |
| Располагается в коллекциях: | №1
|
