Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30922
Название: Использование температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупроводниковых приборов
Другие названия: Using temperature as imitation factor in forecasting gradual failures of semiconductor devices
Авторы: Боровиков, С. М.
Бересневич, А. И.
Ключевые слова: доклады БГУИР;полупроводниковые приборы;постепенные отказы;имитационный фактор;статистическая аналогия;прогнозирование
Дата публикации: 2005
Издательство: БГУИР
Описание: Боровиков, С. М. Использование температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупроводниковых приборов / С. М. Боровиков, А. И. Бересневич // Доклады БГУИР. - 2005. - № 3 (11). - С. 78 - 82.
Аннотация: В данной работе с помощью экспериментальных исследований биполярных транзисторов для функционального параметра (коэффициента усиления тока базы в схеме с общим эмит- тером) установлено наличие линейной корреляции между изменениями, вызываемыми дей- ствием температуры как имитационного фактора, и изменениями, обусловленными дли- тельной наработкой транзисторов. Наличие тесной корреляции (модуль коэффициента кор- реляции более 0,8) является доказательством возможности использования температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупровод- никовых приборов методом имитационных воздействий.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30922
Располагается в коллекциях:№3 (11)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Baravikou_Using.pdf325.57 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.