https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31229
Название: | Получение и физические свойства Cu(In,Ga)(S,Se)2 пленок для фотопреобразователей многокристальных модулей |
Другие названия: | Preparation and physical properties of Cu(In,Ga)(S,Se)2 films for photovoltaic devices of multicristal modules |
Авторы: | Тиванов, М. С. Зарецкая, Е. П. Иванов, В. А. Гременок, В. Ф. Залесский, В. Б. Романов, П. И. Дроздов, Н. А. Федотов, А. К. Белоус, А. И. Шведов, С. В. |
Ключевые слова: | доклады БГУИР;Cu(In,Ga)(S,Se)2;фотопреобразователь;сульфиризация;селенизация |
Дата публикации: | 2007 |
Издательство: | БГУИР |
Описание: | Получение и физические свойства Cu(In,Ga)(S,Se)2 пленок для фотопреобразователей многокристальных модулей / М. С. Тиванов и др. // Доклады БГУИР. - 2007. - № 3 (19). - С. 62 - 67. |
Аннотация: | Представлены результаты исследований физических свойств тонких пленок Cu(In,Ga)(S,Se)2, полученных методом сульфиризации/селенизации интерметаллических слоев Cu–In–Ga. Основное отличие предлагаемого метода от известных технологий — сульфиризация/селенизация проводится одним технологическим этапом и без использования высокотоксичных газов H2Se и H2S. Предлагаемый метод перспективен для получения однофазных пленок твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2 большой площади с заданными физическими характеристиками (ширина запрещенной зоны, распределение компонент по глубине, коэффициент оптического поглощения, удельное электрическое сопротивление и пр.), что обеспечивается контролем соотношения компонентов и технологических режимов Синтеза. |
Аннотация на другом языке: | The study of physical properties of Cu(In,Ga)(S,Se)2 thin films obtained by sulfurization/selenezation of Cu–In–Ga metallic alloys is presented. The main difference between the proposed method and well-known technologies is the using of one-step sulfurization/selenezation process without toxic H2Se and H2S gases. The proposed method is promising for the preparation of single-phase Cu(In,Ga)(S,Se)2 thin films of desired properties with large area. The desired properties (band gap value, optical absorption, distribution of elements through the depth, the resistivity et.c.) are determined by the elements ratio and the growth regimes. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31229 |
Располагается в коллекциях: | №3 (19) |
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Tivanov_Preparation.pdf | 1.02 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.