https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31774| Название: | Влияние лазерного геттерирования на параметры биполярных интегральных микросхем |
| Другие названия: | Influence of laser gettering on bipolar IC parameters |
| Авторы: | Пилипенко, В. А. Вечер, Д. В. Горушко, В. А. Понарядов, В. В. Сякерский, В. С. Петлицкая, Т. В. |
| Ключевые слова: | доклады БГУИР;геттерирование;контроль;параметры;элементы |
| Дата публикации: | 2009 |
| Издательство: | БГУИР |
| Описание: | Влияние лазерного геттерирования на параметры биполярных интегральных микросхем / В. А. Пилипенко и др. // Доклады БГУИР. - 2009. - № 8 (46). - С. 63 - 67. |
| Аннотация: | Представлены результаты влияния лазерного геттерирования на электрические параметры биполярных микросхем. Показано, что за счет уменьшения распространения линий скольжения, снижения плотности дислокаций в эпитаксиальной пленке и исключения возникновения проводящих шунтов в области активных и пассивных элементов, удается устранить деградацию электрических параметров интегральных микросхем, обеспечивая тем самым увеличение в два раза выход годных изделий. |
| Аннотация на другом языке: | The results of the laser gettering on the electric parameters of the Bipolar microcircuits are presented. It is shown, that due to reduction of the of the slide lines spread, lowering down density of dislocations in the epitaxial film and exclusion of emergence of the conductive bypasses in the area of the active and passive elements, it is attainable to eliminate degradation of the IC electric parameters, thus ensuring the good percentage two times higher. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31774 |
| Располагается в коллекциях: | №8 (46) |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Han_Influence.PDF | 305.99 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.