Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34356
Название: Анализ дефектов интегральных схем с использованием растро-вого электронного микроскопа в режиме наведенного тока
Авторы: Солодуха ., В. А.
Шведов, С. В.
Петлицкий, А. Н.
Петлицкая, Т. В.
Чигирь, Г. Г.
Пилипенко, В. А.
Филипеня, В. А.
Жигулин, Д. В.
Уситименко, Д. С.
Ключевые слова: публикации ученых;дефект микросхемы;растровый электронный микроскоп;режим наведенного тока
Дата публикации: 2018
Издательство: Издательский центр «Политехпериодика» г. Одесса
Описание: Анализ дефектов интегральных схем с использованием растро-вого электронного микроскопа в режиме наведенного тока / В. А. Солодуха [и др.] // Современные информационные и электронные технологии (СИ-ЭТ-2018): сборник трудов 19-ой Международной научно-практической конференции, Одесса, 28 мая – 01 июня 2018 г. - Одесса, 2018. - С. 48 - 49.
Аннотация: В работе представлены результаты анализа скрытых дефектов интегральной микросхемы с использованием растрового электронного микроскопа в режиме наведенного тока. Не осуществляя послойного стравливания топологических слоев, удалось зафиксировать точное месторасположения пробоя конденсаторного диэлектрика.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34356
Располагается в коллекциях:Публикации в зарубежных изданиях

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Solodukha_Analiz.pdf815.36 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.