https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37556
Название: | Зарядовые свойства транзисторной МОП-структуры с каналом из двумерного кристалла |
Авторы: | Маковская, Т. И. Данилюк, А. Л. Кривошеева, А. В. Шапошников, В. Л. Борисенко, В. Е. |
Ключевые слова: | публикации ученых;двумерный кристалл;транзисторная структура;квантовая емкость, переходная характеристика, крутизна, коэффициент усиления |
Дата публикации: | 2019 |
Издательство: | Национальный исследовательский университет «МИЭТ» |
Описание: | Зарядовые свойства транзисторной МОП-структуры с каналом из двумерного кристалла / Т. И. Маковская [и др.] // Изв. вузов. Электроника. – 2019. – Т. 24, № 2. – С. 137–150. – DOI : 10.24151/1561-5405-2019-24-2-137-150. |
Аннотация: | Для дальнейшего увеличения эффективности и быстродействия полевых транзисторов возможно применение полупроводниковых двумерных кристаллов. Такие транзисторы лишены некоторых отрицательных эффектов, проявляющихся в традиционных МОП-транзисторах при уменьшении их размеров. В работе предложена модель и исследованы зарядовые свойства транзисторной МОП-структуры с каналом из двумерного кристалла. Численное моделирование таких характеристик выполнено в диапазоне варьирования электрофизических свойств 2D-кристаллов, типичных для MoSe2, WS2, WSe2, ZrSe2, HfSe2, PtTe2. Установлена самосогласованная взаимосвязь между электрофизическими параметрами структуры через химический потенциал, а также показано влияние на них потенциала полевого электрода и емкости подзатворного диэлектрика. Выполненные расчеты крутизны передаточной характеристики и коэффициента усиления такой транзисторной структуры показали, что для канала из дихалькогенидов тугоплавких металлов с шириной запрещенной зоны в диапазоне 0,25–2,1 эВ значения данных параметров могут достигать 0,1 мА/В и 1000 соответственно. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37556 |
Располагается в коллекциях: | Публикации в зарубежных изданиях |
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Makovskaya_Zaryadovyye.pdf | 1.06 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.