https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37558| Название: | Electronic properties of WS2/WSe2 heterostructure containing Te impurity: the role of substituting position |
| Авторы: | Krivosheeva, A. V. Shaposhnikov, V. L. Borisenko, V. E. Lazzari, J. L. |
| Ключевые слова: | публикации ученых;2D heterostructure;dichalcogenide;electronic property;impurity;substituting position |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издательство: | World Scientic Publishing Company |
| Описание: | Electronic properties of WS2/WSe2 heterostructure containing Te impurity: the role of substituting position / A. V. Krivosheeva, V. L. Shaposhnikov, V. E. Borisenko, J.-L. Lazzari // International Journal of Nanoscience. – 2019. – Vol. 18, № 3-4. – P. 1940007-1-1940007-4. – DOI : 10.1142/S0219581X19400076. |
| Аннотация: | An impact of positions of Te atoms substituting W atoms in two-dimensional WS2/WSe2 heterostructures on their electronic properties is investigated by theoretical simulation. The substitution of W by Te tends to reduce the energy band gap and can lead to metallic properties depending on the impurity position and concentration. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/37558 |
| Располагается в коллекциях: | Публикации в зарубежных изданиях |
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Krivosheeva_Electronic.pdf | 509.34 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.